您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > 2n5366_q

2N5366_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
最大直流电集电极电流：0.5 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose	直流集电极/Base Gain hfe Min	80 at 2 mA at 10 V
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-92
封装	Bulk	集电极连续电流	0.5 A
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	625 mW

2n5366_q的相关型号：