| 描述 | TRANSISTOR PNP -200V -1A TO-39 | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 200V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 2.5V @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 50?A |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 50mA，10V | 功率 - 最大 | 1W |
| 频率 - 转换 | 15MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 | 供应商设备封装 | TO-39 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-2593-5 |
诱饵，再接通电源即可。 调整rp的阻值，可以改变ic内部振荡器的频率，从而调节vl导通与截止的时司。 元器件选择 rl-r6选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用有机实心可变电阻器。 cl选用独石电容器;c2选用耐压值为400v的cbb电容器或涤纶电容器;c3选用耐压值为63cv的cbb无感电容器。 vdl和vd2均选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ3mm的红色发光二极管。 vl选用c8050或s8050型硅npn晶体管;v2选用3cgl70c或2n5551、2n5415等型号的硅pnp晶体管。 ic选用cd4060或mcl4060型14级二进制计数分频器集成电路。 k选用4098系列的6v直流继电器。 电极网a、b可用两根们mm的裸铜线在绝缘板上布线而成，也可用敷铜板制作。 t用小型变压器铁心绕制。一次绕组用φo.2lmm的高强度漆包线绕制，wl绕组绕15匝，wz绕组绕80匝;二次绕组 (w3绕组)用φ0.08mm的漆包线绕1800-2000匝。 来源:university ...
，使vtl和vt2的导通角增大，分流作用也增大，使充电电压仍稳定为14·8v。 当发动机转速降低至使gb的充电电压低于14·8v时，vsl、v和vtl、vt2均截止，w绕组的输出电压又全幅值供给充电回路。 vs2是v的保护元件。c为延时电容器，可避免vtl和v饱全角导通而过热损坏。 元器件选择 rl-r7均选用1/2w金属膜电阻器。 c选用耐压值为5ov的铝电解电容器。 vsl和vs2均选用lw的硅稳压二极管。 ur选用1oov、l0-2oa的小型整流桥堆。 v选用2sb647或2n5415、3ca3f等型号的硅pnp晶体管。 vtl和vt2选用10-25a、loov以上的塑封晶闸管，使用时应注意散热。 来源:university ...
相关元件pdf下载：lt1055 2n3440 2n2222 2n5415 2n2907 ...
