| 描述 | POWER BJT | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | - | 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - | 功率 - 最大值 | 70 W |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 供应商器件封装 | TO-66（TO-213AA） |
【Fairchild Semiconductor】2N5484,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5484_D26Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5484_D26Z_Q,射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】2N5484_D27Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5484_D74Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5484_D74Z_Q,射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
