| 描述 | 射频JFET晶体管 NCh RF Transistor | 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
|---|---|---|---|
| 漏极连续电流 | 5 mA | 功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92 | 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 55 C |
【Fairchild Semiconductor】2N5485,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5485_D26Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5485_D26Z_Q,射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】2N5485_D27Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5485_D74Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5485_D75Z,IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5485_Q,射频JFET晶体管 NCh RF Transistor