2N5550

d输送一个14.5到20.5vdc之间的电压。根据该电压下pd的吸收电流决定pd的类别，详细总结于下表。 额外的输入特性 除了签名和分类电路外，pd还必须包括在输入电压到来时将来自pse的浪涌电流限制在400ma之内的电路，并防止直流/直流转换器引起的任何静态电流或阻抗在签名和分类过程中被忽略。 具体的签名/分类电路 参考图1所示原理图，输入签名和分类电路是围绕着几个分立和低价的安森美半导体器件设计的，其中包括了tl431可编程参考电路、2n7002信号电平mosfet、2n5550 npn晶体管、ntd12n10 mosfet和几个齐纳二极管及电阻电容。为了实现签名检测，24.9k电阻(r1)直接放于输入端。要注意的是，在签名检测阶段，输入电压低于10v，由u1、q2和r4组成的恒定电流源处于关闭状态，因为必须超过9.1v击穿电压才能完成这个电路的偏置。还要注意的是，作为直流/直流转换器回路管脚中串接的输入开关管mosfet q3也是关闭的，直到输入电压超过约27v。该电压等于d2的击穿电压和q3的栅极门限电压之和。 图1：poe受电设备(pd)原理图。 ...

d输送一个14.5到20.5vdc之间的电压。根据该电压下pd的吸收电流决定pd的类别，详细总结于下表。 额外的输入特性 除了签名和分类电路外，pd还必须包括在输入电压到来时将来自pse的浪涌电流限制在400ma之内的电路，并防止直流/直流转换器引起的任何静态电流或阻抗在签名和分类过程中被忽略。 具体的签名/分类电路 参考图1所示原理图，输入签名和分类电路是围绕着几个分立和低价的安森美半导体器件设计的，其中包括了tl431可编程参考电路、2n7002信号电平mosfet、2n5550 npn晶体管、ntd12n10 mosfet和几个齐纳二极管及电阻电容。为了实现签名检测，24.9k电阻(r1)直接放于输入端。要注意的是，在签名检测阶段，输入电压低于10v，由u1、q2和r4组成的恒定电流源处于关闭状态，因为必须超过9.1v击穿电压才能完成这个电路的偏置。还要注意的是，作为直流/直流转换器回路管脚中串接的输入开关管mosfet q3也是关闭的，直到输入电压超过约27v。该电压等于d2的击穿电压和q3的栅极门限电压之和。 图1：poe受电设备(pd)原理图。 ...