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2N5551-AP

  • 制造商:-
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

参考价格

  • 数量单价
  • 20000¥0.552
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) 600mA 160V最大直流电集电极电流0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 1 mA at 5 V配置Single
最大工作频率300 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Ammo最小工作温度- 55 C
功率耗散625 mW工厂包装数量2000

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