| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) 16A 140V 200W NPN | 最大直流电集电极电流 | 16 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 15 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 1 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 封装 | Tray | 集电极连续电流 | 16 A |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 200 W |
| 工厂包装数量 | 100 |
值为400v的cbb电容器或涤纶电容器;c8选用耐压值为25v的铝电解电容器;c13-c16均选用耐压值为630v的高频瓷介电容器。 vdl和vd2均选用1n4148型硅开关一极管。 vl选用φ5mm的普通发光一极管。 v选用2sc2261或2n5631、3da8f型硅npn晶体管。 icl选用twh951l或twh9512型热释电红外传感器控制专用集成电路;ic2选用lm7812型三端集成稳压器;ic3选用ne556或a556型双时基集成电路。 热释电红外传感器选用sd02或p228型，配合用ce-024或qla型菲涅尔透镜。 k选用9v直流继电器。 tl选用3-5w、二次电压为l5v的电源变压器;t2使用电警具用脉冲变压器或用elo型磁心绕制。次绕组用φ0.49mm的漆包线绕30匝， ...
