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  • 2N5639G

2N5639G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92漏极至源极电压(Vdss)30V
漏极电流 (Id) - 最大-FET 型N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)35V电压 - 切断 (VGS 关)@ Id-
输入电容 (Ciss) @ Vds10pF @ 12V(VGS)电阻 - RDS(开)60 欧姆
安装类型通孔包装散装
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体供应商设备封装TO-92-3
功率 - 最大310mW

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