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2N5770_D75Z_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN 15V 50mA HFE/2直流集电极/Base Gain hfe Min20 at 3 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Ammo最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW

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