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2N5830_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：0.2 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose	直流集电极/Base Gain hfe Min	60 at 1 mA at 5 V
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-92
封装	Bulk	集电极连续电流	0.2 A
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	625 mW

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