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2N5830_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min60 at 1 mA at 5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流0.2 A
最小工作温度- 55 C功率耗散625 mW

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