描述 | NPN TRANSISTOR | 晶体管类型 | - |
---|---|---|---|
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | - | 电压 - 集射极击穿(最大值) | - |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | - | 电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | - | 功率 - 最大值 | - |
频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | - |
安装类型 | - | 封装/外壳 | - |
供应商器件封装 | - |
定值时导通,使电流调整功率管v2截止,以免因过热、过电流而损坏。 元器件选择· rl-r23均选用1/4w金属膜电阻器;r26和r27均选用1/2w金属膜电阻器;r24和r25均采用电阻丝绕制而成。 cl和c2均选用高频瓷介电容器;c3-c5和c7均选用独石电容器;c6和c8均选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vs选用lw、9v的硅稳压二极管。 vll-vllo均选用φ3mm的发光二极管。 ur选用loa、5ov的整流桥堆。 v1和v2选用3cdl5od或3cdgc、bd316、2n6330、bdw52 型硅pnp晶体管,v3选用59013或c8050、3dgl2型硅npn晶体管。 icl选用cmoll或c036型四与非门集成电路; ic2选用cd4069或c033型非门集成电路;ic3选用c181或cd40193 型4位二进制可预置可逆计数器集成电路,ic4选用c301或 cd4028型bcd十进制译码器集成 电路;ic5和1c6选用c544或cd4066型四双向模拟 电子开关集成电路;lc7选用lm317型三端可调稳压集成电路。 ...