| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power | 最大直流电集电极电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 15 | 最大工作频率 | 5 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220 | 封装 | Box |
| 集电极连续电流 | 0.45 A | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 40 W | 工厂包装数量 | 400 |
属膜电阻器;r2、r3和r5-r9均选用1/4w碳膜电阻器;r4和rlo均选用2w金属膜电阻器。 rp选用小型实心电位器或可变电阻器。 cl和c2均选用耐压值为i6v的铝电解电容器;c3和c4选用独石电容器或涤纶电容器。 vd1选用1n4001或1n4007型硅整流二极管；vd2和vd3选用不着n4148型硅开关二极管。 vl选用φ3mm的发光二极管。 vs1和vs2均选用1/2w的硅稳压二极管。 ur选用2a、5ov的整流全桥。 v1选用3calof或3cd568、2sa940、2n6476等型号的硅pnp晶体管;v2选用s90133或c8050型硅npn晶体管；v3选用3ddl00a或3da410、bd410、mje5655、2sd401、2sd381等型号的硅npn晶体管。 ic选用cd4o11型四与非门集成屯路。 t选用low、二次电压为l2v的电源变压器。 来源:零八我的爱 ...
