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2N6519TA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min30
配置Single最大工作频率200 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Ammo
集电极连续电流- 0.5 A最小工作温度- 55 C
功率耗散625000 mW

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