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2N6666

参考价格

产品属性关于Central Semiconductor(Central Semiconductor,Central Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) PNP Pwr Darlington	直流集电极/Base Gain hfe Min	100
最大工作频率	20 MHz	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220	封装	Box
集电极连续电流	0.45 A	功率耗散	65 W
工厂包装数量	400