描述 | Transistors Bipolar (BJT) Complimentary Power PNP | 最大直流电集电极电流 | 2 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 60 at 0.1 A at 1 V | 配置 | Single |
最大工作频率 | 500 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-237 |
封装 | Box | 最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 1000 mW | 工厂包装数量 | 2000 |
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