您的位置:维库电子商城 > 晶体管 > FET,MOSFET > 2n6766
  • 2N6766

2N6766

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 30A TO3FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-3
封装/外壳TO-204AE

2n6766的相关型号: