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  • 2N6796U

2N6796U

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  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCCFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)180 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.34 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)800mW(Ta),25W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装18-ULCC(9.14x7.49)
封装/外壳18-CLCC

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