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  • 2N6849

2N6849

  • 制造商:Magnatec(Magnatec,Magnatec)
  • 典型关断延迟时间:70 ns
  • 典型接通延迟时间:30 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:25 常闭 V @ 15
  • 典型输入电容值@Vds:800 pF V @ 25
  • 安装类型:通孔

参考价格

  • 数量单价
  • 1RMB174.00
  • 25RMB147.50
宽度9.4mm封装类型TO-39
尺寸9.4 x 9.4 x 4.57mm引脚数目3
最低工作温度-55 °C最大功率耗散25 W
最大栅源电压±20 V最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.3最大连续漏极电流6.5 A
最高工作温度+150 °C每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET通道模式增强
通道类型P配置
长度9.4mm高度4.57mm

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