| 描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | 功率 - 最大 | 400mW |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 带盒（TB） |
| 其它名称 | 2N7000TA-ND2N7000TATB2N7000TATR2N7000TATR-ND |
