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  • 2N7002_NB9G002

2N7002_NB9G002

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
功率 - 最大200mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23
包装带卷 (TR)

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