| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 2N7002DW-TPTR |
