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  • 2N7002DWH6327XT

2N7002DWH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:300 mA

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.00
  • 10¥1.52
  • 100¥1.09
  • 500¥0.766
  • 1000¥0.545
产品属性
描述MOSFET OptiMOS Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)3 Ohms at 10 V
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363
封装Reel下降时间3.1 ns
栅极电荷 Qg0.4 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散500 mW上升时间3.3 ns
典型关闭延迟时间5.5 ns零件号别名2N7002DW 2N7002DWH6327XTSA1 H6327

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