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  • 2N7002E-7-F-79

2N7002E-7-F-79

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  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述DIODEFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 欧姆 @ 250mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.23 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)370mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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