| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 2N7002LT1GOSTR |
产品型号:2n7002lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7500最大漏极电流id(on)(a):0.120通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-23/-55~150描述:小信号n沟道sot23封装场效应管价格/1片(套):￥.35 来源:xiangxueqin ...
