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  • 2N7002W-TP

2N7002W-TP

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:Diode Handling and Mounting
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.06
  • 6000$0.054
  • 12000$0.048
  • 24000$0.045
  • 51000$0.0399
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V功率 - 最大200mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商设备封装SOT-323包装带卷 (TR)
其它名称2N7002W-TPMSTR

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