| 描述 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 个 N 通道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 600mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | MO-036AB |
