| 描述 | TRANS SJT 650V 4A TO276 | FET 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc）（165°C） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 415 毫欧 @ 4A | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 324 pF @ 35 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 225°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-276 |
| 封装/外壳 | TO-276AA |
