描述 | TRANSISTOR PNP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 200mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 210 @ 2mA,10V |
功率 - 最大 | 250mW | 频率 - 转换 | 200MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | TO-236AB | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 2PB709BRL215 |
【NXP Semiconductors】2PB710AQ T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】2PB710AQ,115,TRANSISTOR PNP 50V 500MA SC59
【NXP Semiconductors】2PB710AR T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】2PB710AR,115,TRANSISTOR PNP 50V 500MA SC59
【NXP Semiconductors】2PB710ARL,215,TRANSISTOR PNP 50V 500MA SOT-23
【NXP Semiconductors】2PB710ARL,235,TRANSISTOR PNP 50V 500MA SOT-23