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2SA1162-GR(T5L,F,T

  • 制造商:-
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:200
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) INCORRECT MOUSER P/N安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体S-MINI集电极连续电流- 150 mA
功率耗散150 mW

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