晶体管类型 | PNP | 最大功率耗散 | 1200 mW |
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最大发射极-基极电压 | 4 V | 最大基极-发射极饱和电压 | 1 V |
最大直流集电极电流 | 0.5 A | 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
最大集电极-发射极饱和电压 | 0.8 V | 最大集电极-基极电压 | 80 V |
最小直流电流增益 | 60 V | 最高工作温度 | +150 °C |
最高工作频率 | 800 MHz | 每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 双极功率 | 配置 | 单 |
长度 | 8mm | 高度 | 11mm |
【ON Semiconductor】2SA1416S-TD-E,TRANS PNP BIPO 1A 100V SOT89-3
【ON Semiconductor】2SA1416T-TD-E,TRANS PNP BIPO 1A 100V SOT89-3
【ON Semiconductor】2SA1417S-TD-E,TRANS PNP BIPO 2A 100V SOT89-3
【ON Semiconductor】2SA1417T-TD-E,TRANS PNP BIPO 2A 100V SOT89-3
【ON Semiconductor】2SA1418S-TD-E,TRANS PNP BIPO 0.7A 160V SOT89-3