| 描述 | TRANSISTOR PNP 30V 1A TSMT3 TR | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 10mA，2V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 频率 - 转换 | 350MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TSMT3 | 包装 | 带卷 (TR) |
