描述 | APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V,30V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | - |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V / 100 @ 150mA,5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA,500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 300MHz,250MHz |
功率 - 最大值 | 1W | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-23-6 |