| 晶体管类型 | NPN | 最大功率耗散 | 1200 mW |
|---|---|---|---|
| 最大发射极-基极电压 | 15 V | 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | 最大集电极-基极电压 | 80 V |
| 最小直流电流增益 | 600 V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最高工作频率 | 170 MHz | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 双极功率 | 配置 | 单 |
| 长度 | 8mm | 高度 | 11mm |
| 2sc3788 si-n 200v 0.1a 5w 150mhz2sc3789 si-n 300v 0.1a 7w 70mhz | 2sc3790 si-n 300v 0.1a 7w 150mhz2sc3792 si-n 50v 0.5a 0.5w 250mhz | 2sc3795a si-n 900v 5a 40w2sc3807 si-n 30v 2a 15w 260mhz | 2sc3808 n-darl 80v 2a 170mhz b>802sc380tm si-n 30v 50ma 0.3w 100mhz | 2sc3811 si-n 40v 0.1a 0.4w 450mhz2sc3831 si-n 500v 10a 100w | 2sc3833 si-n 500/400v 12a 100w2sc3842 si-n 600v 10a 70w 32mhz | 2s ...
