| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=3 HFE=8 | 最大直流电集电极电流 | 3 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 8 | 最大工作频率 | 8 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | MTO-3P | 封装 | Magazine |
| 集电极连续电流 | 3 A | 功率耗散 | 80 W |
| 工厂包装数量 | 30 |
【Shindengen】2SC4235-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=3 HFE=8
【Shindengen】2SC4236-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=8
【Shindengen】2SC4236-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=8
【Shindengen】2SC4237-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=10 HFE=8
【Shindengen】2SC4237-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=10 HFE=8
