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2SC4583-7112

  • 制造商:Shindengen(Shindengen,Shindengen)
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:800 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
描述Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=3 HFE=8最大直流电集电极电流3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min8最大工作频率8 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体ITO-3P封装Magazine
集电极连续电流3 A功率耗散50 W
工厂包装数量40

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