描述 | Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=5 HFE=10 | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10 |
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最大工作频率 | 13 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | ITO-220 |
封装 | Tray | 集电极连续电流 | 5 A |
功率耗散 | 25 W | 工厂包装数量 | 50 |
【Shindengen】2SC4664-4000,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=8 HFE=10
【Shindengen】2SC4664-7000,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=8 HFE=10
【Shindengen】2SC4664-7012,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=8 HFE=10
【Shindengen】2SC4664-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=8 HFE=10
【Shindengen】2SC4664-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=200 IC=8 HFE=10
【Shindengen】2SC4668-4100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=40 IC=7 HFE=70
【Shindengen】2SC4668-7061,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=40 IC=7 HFE=70
【Shindengen】2SC4668-7071,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=40 IC=7 HFE=70