| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10 | 最大直流电集电极电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10 | 最大工作频率 | 10 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | ITO-220 | 封装 | Tray |
| 集电极连续电流 | 4 A | 功率耗散 | 30 W |
| 工厂包装数量 | 50 |
【Shindengen】2SC4940-7012,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4940-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4940-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4941-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=15
【Shindengen】2SC4941-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=15
