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  • 2SD12670P

2SD12670P

  • 制造商:-
  • 数据列表:2SD12670P View all Specifications
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS NPN 60VCEO 4A TO-220F晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 400mA,4A电流 - 集电极截止(最大)700?A
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1A,4V功率 - 最大2W
频率 - 转换20MHz安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包供应商设备封装TO-220F-A1
包装散装

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