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  • 2SD22200RA

2SD22200RA

  • 制造商:-
  • 数据列表:2SD22200RA View all Specifications
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3晶体管类型NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.8V @ 1mA,1A电流 - 集电极截止(最大)-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)8000 @ 1A,10V功率 - 最大1.5W
频率 - 转换150MHz安装类型通孔
封装/外壳3-SIP供应商设备封装MT-3-A1
包装带盒(TB)其它名称2SD2220-R(TA)2SD22200RATB

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