| 描述 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE | Digi-Key Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | - |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 15V | 逻辑电压?- VIL，VIH | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 18A，18A | 输入类型 | - |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - | 上升/下降时间（典型值） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 模块 | 供应商器件封装 | 模块 |
2sd315ai-33是瑞士concept公司专为3300v高压igbt的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础，外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个igbt 模块，可提供±15v的驱动电压和±15a的峰值电流，具有准确可靠的驱动功能与灵活可调的过流保护功能，同时可对电源电压进行欠压检测，工作频率可达兆赫兹以上；电气隔离可达到6000vac. 1 2sd315ai-33简介 1.1 外形及管脚功能 图1所示为2sd315ai-33的外形图，该芯片共有44个管脚。具体功能如下： 1,2脚（vdd）：信号电源； 3脚（so1）：通道1状态输出； 4脚（vl/reset）： 定义逻辑电平/错误信号复位； 5脚（rc1）：通道1死区rc网络； 6脚（inb）：pwm2/enable; 7脚（rc2）：通道2死区rc网络； 8脚（mod）：模式选择； 9脚（so2）：通道2状态输出； 10脚（ina）：pwm1/pwm; 11,12脚（gnd）：15v电源地； 13～17脚（vdc）：dc/dc驱动电源； ...
较器同相端电位高于反相端电位时，比较器输出翻转，从而封锁igbt驱动脉冲。电路参数可按如下计算： 由于igbt可以短时承受两倍额定电流，所以在实际应用中可以适当选取。在igbt导通的瞬间，igbt两端电压uce不会立刻进入稳态，而是由一个短时的过渡过程，在这个阶段igbt保护电路会发出错误的检测信号。当加电容ca延时后，igbt保护电路就能够躲过这一过渡过程，实现正确的保护功能。而且此电容还能够在一定程度上滤掉uce上的外界干扰信号，减少了保护误动的发生率。ca的参数计算如下： 4、2sd315ai-33简介及应用 图3 2sd315ai-33外形图 4.1 2sd315ai-33是瑞士concept公司专为3300v高压igbt的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础、外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个igbt模块，可提供±15v的驱动电压和±15a的峰值电流，具有准确可靠的驱动功能与灵活可调的过流保护功能，同时可对电源电压进行欠压检测，工作频率可达兆赫兹以上，电气隔离可达到6000vac. 图4 2sd315ai-33 ...
