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  • 2SJ352-E

2SJ352-E

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET P-CH 200V 8A TO-3PFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 10V
功率 - 最大100W安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商设备封装TO-3P
包装管件

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