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2SJ352-E

制造商：-
标准包装：1
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

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无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品属性

描述	MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P	FET 特点	标准型
漏极至源极电压(Vdss)	200V	电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	-	Id 时的 Vgs(th)（最大）	-
闸电荷(Qg) @ Vgs	-	输入电容 (Ciss) @ Vds	800pF @ 10V
功率 - 最大	100W	安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3	供应商设备封装	TO-3P
包装	管件

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