| 描述 | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 210 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 35W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | 供应商设备封装 | TO-220NIS |
| 包装 | 管件 |
