| 描述 | MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 180V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | - | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2300pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 130W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P（N） |
| 包装 | 管件 |
