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  • 2SJ652-1E

2SJ652-1E

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SGFET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)38 毫欧 @ 14A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4360 pF @ 20 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2W(Ta),30W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220F-3SG
封装/外壳TO-220-3 整包

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