| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1A DP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 900V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 40W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
