您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > 2sk3569(q)

2SK3569(Q)

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：30 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm	漏极连续电流	10 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.75 Ohms	配置	Single
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-220SIS
封装	Bulk	下降时间	25 ns
功率耗散	450 W	上升时间	15 ns
工厂包装数量	50	典型关闭延迟时间	120 ns

2sk3569(q)的相关型号：