| 描述 | IC JFET N-CH 30V 10MA CP | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
|---|---|---|---|
| 漏极电流 (Id) - 最大 | 10mA | FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - | 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 180mV @ 1?A |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4pF @ 10V | 电阻 - RDS（开） | 200 欧姆 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大 | 200mW |
