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  • 2SK3878(F,T)

2SK3878(F,T)

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:900 V
  • 闸/源击穿电压:30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥37.88
  • 10¥31.81
  • 100¥27.26
  • 250¥25.81
  • 500¥24.22
产品属性
描述MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V漏极连续电流9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体SC-65封装Tube
下降时间20 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)7 S
栅极电荷 Qg60 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散150 W上升时间25 ns
工厂包装数量50

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