| 描述 | MOSFET N-CH 50V 0.1A 3CP | FET 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 技术 | - | 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Tj） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-CP |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
