| 描述 | RECT W/G TERM, MED POW 7.05-10.0 | 连接器样式 | - |
|---|---|---|---|
| 连接器类型 | - | 频率 - 最大值 | - |
| 阻抗 | - | 安装类型 | - |
| 基体表面 | - | 触头材料 | - |
| 触头表面处理 | - | 特性 | - |
。 现在已经制造出40 mm sic晶片，1990年已有30 mm sic晶片上市，在电力电子技术中，开始用sic器件代替si器件。例如，sic肖特基二极管 已有商品问世，定额为300v、600v、1200v/20a，反向恢复时间接近于零，175℃以下sic肖特基二极管的反向电流几乎不变。 据《电力电子》杂志2004年第4期报道，已经试制出一批sic器件样品，如sic功率mosfet，定额为：750v/15ma，rdc（on）=66mω；1998年研制 出耐压达1400v，通态电阻为311mω的sic功率mosfet。其他又如sic晶闸管，950v/16a，通态压降为3.67v；1999年研制出耐压达790v，通态压 降为1.5v，电流密度为75a/cm2的sic igbt。 可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成为应用成功的新型功率半导体器件的材料。 来源:ks99 ...
